碳化硅外延片生產(chǎn)商-江蘇sic同質(zhì)外延

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蘇州恒邁瑞材料科技供應的碳化硅外延片以350um厚度4H-N型為襯底層，襯底層晶向為4±0.5°off toward <11-20>。碳化硅外延片產(chǎn)品尺寸有4英寸和6英寸導電類型分為N型及P型，N型碳化硅外延片摻雜氮，P型碳化硅外延片摻雜鋁。

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與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高的外延材料，并在外延層上制造各類器件。主要的外延技術是化學氣相沉積（CVD），通過臺階流的生長來實現(xiàn)一定厚度和摻雜的碳化硅外延材料。隨著碳化硅功率器件制造要求和耐壓等級的不斷提高，碳化硅外延材料不斷向低缺陷、厚外延方向發(fā)展。近年來，薄碳化硅外延材料（20 μm以下）的不斷提升，外延材料中的微管缺陷已經(jīng)消除，掉落物、三角形、胡蘿卜、螺位錯、基平面位錯、深能級缺陷等成為影響器件性能的主要因素。隨著外延生長技術的進步，外延層厚度也從過去的幾μm、十幾μm發(fā)展到目前的幾十μm、上百μm。

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