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分子束外延(mbe)是利用分子在真空(10-10torr以下)的環(huán)境下,以直線行進(jìn)不與其他分子碰撞的情況下前進(jìn)到基板之上,形成致密的高純度鍍層。分子束外延(mbe)的分子源需要根據(jù)不同的材料特性以及制程需求來進(jìn)行選擇。
系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):真空鍍膜機(jī)分子束外延(mbe)(molecular beam epitaxy )的成長(zhǎng)過程,如果控制-度,可以達(dá)到單原子層成長(zhǎng),因此可以輕易地控制,成出超晶格結(jié)構(gòu)。
其成膜溫度低能而有效減少缺陷,成長(zhǎng)出高薄膜。
與之相比,分子束外延的缺點(diǎn)是膜厚成長(zhǎng)緩慢 鍍膜加工,鍍膜均勻度較難掌握,需要很干凈的真空環(huán)境-鍍膜。
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