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mos管（mosfet）的-情況：
1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，20n10場(chǎng)效應(yīng)管，就是讓mos管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致mos管-的一個(gè)原因。如果n-mos做開關(guān)，g級(jí)電壓要比電源高幾v，才能完全導(dǎo)通，p-mos則相反。沒(méi)有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以u(píng)*i也增大，損耗就意味著-。這是設(shè)計(jì)電路的忌諱的錯(cuò)誤。
2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，mos管上的損耗增大了，所以-也加大了。
3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，9n90場(chǎng)效應(yīng)管，mos管標(biāo)稱的電流值，一般需要-的散熱才能達(dá)到。所以id小于電流，也可能--，需要足夠的輔助散熱片。
4.mos管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，mos管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
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mos管（mosfet/場(chǎng)效應(yīng)管）的主要參數(shù)：
7. 極間電容
·三個(gè)電極之間都存在著極間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf，cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數(shù)nf
·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在，場(chǎng)效應(yīng)管，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)nf來(lái)表示，它的單位為分貝(db)。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
·場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小
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mosfet（場(chǎng)效應(yīng)管）的主要參數(shù)：
4. 柵源擊穿電壓bvgs
·在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，25n120場(chǎng)效應(yīng)管，使柵極電流ig由零開始劇增時(shí)的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導(dǎo)gm
·在vds為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)
·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征mos管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
·一般在十分之幾至幾ma/v的范圍內(nèi)
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