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asemi品牌 25n120 mos場效應(yīng)晶體管 插件封裝 mosfet
型號：25n120
封裝：to-247/3p
漏極電流（vds）：25a
漏源電壓（id）：1200v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：場效應(yīng)晶體管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般為n溝道和p溝道，詳情參考右側(cè)圖片(p溝道耗盡型mos管)。而p溝道常見的為低壓mos管。編輯：th
mos管-原因是什么？
mos管-，主要原因之一是寄生電容在頻繁開啟關(guān)閉時(shí)，顯現(xiàn)交流特性而具有阻抗，形成電流。有電流就有-，并非電場型的就沒有電流。另一個(gè)原因是當(dāng)柵極電壓爬升緩慢時(shí)，導(dǎo)通狀態(tài)要“路過”一個(gè)由關(guān)閉到導(dǎo)通的臨界點(diǎn)，mos場效應(yīng)管，這時(shí)，導(dǎo)通電阻很大，-比較厲害。第三個(gè)原因是導(dǎo)通后，a09t mos場效應(yīng)管，溝道有電阻，過主電流，形成-。主要考慮的-是和第3點(diǎn)。許多mos管具有結(jié)溫過高保護(hù)，25n120mos場效應(yīng)管，所謂結(jié)溫就是金屬氧化膜下面的溝道區(qū)域溫度，一般是150攝氏度。超過此溫度，mos管不可能導(dǎo)通。溫度下降就恢復(fù)。要注意這種保護(hù)狀態(tài)的后果。
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絕緣型場效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用sio2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵-金屬鋁，故又稱為mos管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場效應(yīng)管大得多，可達(dá)1010ω以上，還因?yàn)樗冉Y(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)溫度簡單，而廣泛應(yīng)用于-和-規(guī)模集成電路中。
與結(jié)型場效應(yīng)管相同，mos管工作原理動畫示意圖也有n溝道和p溝道兩類，但每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，因此mos管的四種類型為：
n溝道增強(qiáng)型管、n溝道耗盡型管、
p溝道增強(qiáng)型管、p溝道耗盡型管。
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