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半導(dǎo)體芯片退火
半導(dǎo)體芯片在經(jīng)過離子注入以后就需要退火。因?yàn)橥雽?dǎo)體中注入雜質(zhì)離子時，高能量的入射離子會與半導(dǎo)體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發(fā)生位移，結(jié)果造成大量的空位，平度熱處理，將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，所以在離子注入以后必須把半導(dǎo)體放在一定的溫度下進(jìn)行退火，以恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和消除缺陷。同時，退火還有施主和受主雜質(zhì)的功能，即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過退火而讓它們進(jìn)入替代位置。退火的溫度一般為200~800c，比熱擴(kuò)散摻雜的溫度要低得多。
316(0cr17ni12mo2)不銹鋼零件熱處理工藝
要達(dá)到的目的：
1，內(nèi)六角熱處理，減小材料的彈性滯后和彈性后效，使得材料在升溫（升壓）和降溫）過程中形變狀態(tài)趨于穩(wěn)定；即就是在每一次升溫（升壓）過程的每個點(diǎn)，應(yīng)變值能達(dá)到穩(wěn)定，降溫（時也是如此。能-升、）時每個點(diǎn)應(yīng)變值都是一致的。
2，消除機(jī)械加工和熱處理過程中所產(chǎn)生的應(yīng)力； 工藝過程（參考下圖）
如果先在真空爐中高溫1010～1150℃環(huán)境下，馬車螺栓熱處理，保溫3min進(jìn)行固溶處理，銷軸熱處理，進(jìn)行奧氏體晶粒細(xì)化，之后，在430℃～480℃環(huán)境中保溫1.5h進(jìn)行回火處理。
3.奧氏作不銹鋼的形變強(qiáng)化 單相的奧氏體不銹鋼具有-的冷變形性能?可以冷拔成很細(xì)
的鋼絲?冷軋成很薄的鋼帶或鋼管。經(jīng)過大量變形后?鋼的強(qiáng)度大力提高 ?尤其是在零下
溫區(qū)軋制時效果更為-。抗拉強(qiáng)度可達(dá) 2 000 mpa以上。這是因?yàn)槌死渥饔不Ч?
還疊加了形變誘發(fā)m轉(zhuǎn)變。 奧氏作不銹鋼經(jīng)形變強(qiáng)化后可用來制造不銹彈簧、鐘表發(fā)條、
航空結(jié)構(gòu)中的鋼絲繩等。形變后若需焊接?則只能采用點(diǎn)焊工藝、形變使應(yīng)力腐蝕傾向性增
加 。并因部分γ->;m轉(zhuǎn)變而產(chǎn)生鐵磁性?在使用時?如儀表零件中?-以考慮。再結(jié)晶
溫度隨形變量而改變?當(dāng)形變量為60?時?其再結(jié)晶溫度降為650℃冷變形奧氏體不銹鋼再
結(jié)晶退火溫度為850?1050℃?850℃則需保溫3h?1050℃時 透燒即可?然后水冷。
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