光伏電池板-廢光伏電池板回收價(jià)格-振鑫焱上門看貨

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，光伏電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，-測試，海關(guān)-光伏電池板回收，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，回收多晶硅光伏電池板，實(shí)驗(yàn)板，-償還，返工，光伏模塊回收等。

二、 翹曲：

1、 硅片太�。嚎刂圃�始硅片厚度；

2、 印刷鋁漿太厚：控制鋁漿增重量；

3、 燒結(jié)溫度過高：調(diào)整燒結(jié)爐4、5、6、7區(qū)溫度；

4、 燒結(jié)爐冷卻區(qū)冷卻效果不好：查看風(fēng)扇狀況、進(jìn)出水溫度壓力等

三、 鋁包：

1、 燒結(jié)溫度太高：調(diào)整燒結(jié)爐4、5、6、7區(qū)溫度；

2、 印刷鋁漿太�。涸龃箐X漿的印刷量；

3、 使用前漿料攪拌不充分：攪拌時(shí)間必須達(dá)到規(guī)定時(shí)間；

4、 鋁漿印刷后烘干時(shí)間不夠：增加烘干時(shí)間或提高烘干溫度；

5、 燒結(jié)排風(fēng)太�。涸龃鬅�結(jié)爐排風(fēng)；

6、 燒結(jié)爐冷卻區(qū)冷卻區(qū)冷卻效果不好：查看風(fēng)扇狀況、進(jìn)出水溫度壓力等；

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，-測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，-償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1 ．頻率

射頻 pecvd 系統(tǒng)大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >;4mhz ）沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 rf 功率通常會(huì)- sin 膜的。但是，功率密度不宜過大，超過 1w/cm2 時(shí)器件會(huì)造成-的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有-的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 sih4 。為了防止富硅膜，選擇nh3/sih4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以-沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 sin 。因此，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過高，并采用較高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。