實(shí)驗(yàn)板太陽能光伏板回收-太陽能光伏板-振鑫焱上門看貨

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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡單寫成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加-體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 pecvd 方法區(qū)別于其它 cvd 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的-能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性-的各種化學(xué)基團(tuán)，因而-降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的 cvd 過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

pe 設(shè)備有兩類：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（ roth ＆ rau  ）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) nh3 ，而 sih4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多，這對-生產(chǎn)尤其重要。

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電池片各工藝流程危害要素及異�，F(xiàn)象 

一回清理危害要素 

1.溫度 

溫度過高，先就是說ipa不太好-，溫度一高，ipa的蒸發(fā)迅速，汽泡印就會(huì)隨著出-，那樣就-減少了pn結(jié)的合理總面積，反映加重，還會(huì)出-影片的飄浮，導(dǎo)致殘片率的提升。可控性水平：調(diào)整設(shè)備的設(shè)定，能夠-的調(diào)整溫度。 

2.時(shí)間金字塔式隨時(shí)間的轉(zhuǎn)變：金字塔式慢慢冒出；表層上基礎(chǔ)被小金字塔式遮蓋，少數(shù)剛開始成才；金字塔式滿布的絨面早已產(chǎn)生，僅僅尺寸不勻稱，透射率也降至較為低的狀況；金字塔式向外擴(kuò)大企業(yè)兼并，容積慢慢澎漲，規(guī)格趨向平等，透射率略微降低�？煽匦运�平：調(diào)整機(jī)器設(shè)備主要參數(shù)，能夠-的調(diào)整時(shí)間。 

3.ipa1.幫助氡氣的釋放出來。2.變?nèi)鮪aoh水溶液對硅片的浸蝕幅度，調(diào)整各向系數(shù)。純naoh水溶液在高溫下對分子排序較為-的100晶面和較為高密度的111晶面毀壞較為大，每個(gè)晶面被浸蝕而消溶，ipa-變?nèi)鮪aoh的浸蝕抗壓強(qiáng)度，提升了浸蝕的各向-，實(shí)驗(yàn)板太陽能光伏板回收，有益于金字塔式的成型。酒精含水量過高，堿水溶液對硅水溶液浸蝕工作能力越來越太弱，各向-系數(shù)又趨向3�？煽匦运�平：依據(jù)初次配液的含水量，及每一次大概耗費(fèi)的量，來填補(bǔ)足量的液-，線性度不高。