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陶瓷電容溫度特性解析
陶瓷電容溫度特性解析
根據(jù)美國(guó)的標(biāo)準(zhǔn),在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度性質(zhì)有三部分：開始部分為（例如字母x）工作溫度下限；第二位部分有效數(shù)字為工作溫度上限；第三部分為隨溫度變化的容差（以ppm/℃表示）。
x7r表示為：開始一位x為工作溫度下限-55℃，第二位的數(shù)字7位工作溫度上限+125℃，第三位字母r為隨溫度變化的容值偏差±15%；
x5r表示為：開始一位x為工作溫度下限-55℃，第二位的數(shù)字5位工作溫度上限+85℃，第三位字母r為隨溫度變化的容值偏差±15%；
y5v表示為：開始一位y為工作溫度下限-30℃，第二位的數(shù)字5位工作溫度上限+85℃，第三位字母v為隨溫度變化的容值偏差+22%，-82%±15%。
z5u表示為：開始一位z為工作溫度下限+10℃，第二位的數(shù)字5位工作溫度上限+85℃，第三位字母u為隨溫度變化的容值偏差+22%，-56%，
陶瓷電容器介紹
陶瓷電容器介紹
構(gòu)造:用結(jié)構(gòu)陶瓷作物質(zhì)，在瓷器表層涂敷一-層金屬材料(銀)塑料薄膜，再經(jīng)高溫煅燒后做為電級(jí)而成。瓷介電力電容器又分1類電解介質(zhì)(npo、ccg));2類電解介質(zhì)(x7r、2x1)和3類電解介質(zhì)(y9v、2f4)瓷介電容器。
特性:1類瓷介電力電容器具備溫度系數(shù)小、-性高、耗損低、抗壓高
優(yōu)勢(shì)。較大 容積不超過(guò)1001080f，常見的有cc1、cc2、cc18a、cc11、ccg等系列產(chǎn)品。
主要用途:關(guān)鍵運(yùn)用于高頻電路中。
特性:2、3類瓷介電力電容器其特性是原材料的電極化指數(shù)高，容積大(較大 達(dá)到0.47uf)、體型小、耗損和介電強(qiáng)度能較1類的差。
主要用途:廣泛運(yùn)用于中、低-電源電路中作隔直、藕合、旁通和濾波器等電力電容器應(yīng)用。常見的有ct1、ct2、ct3等三種系列產(chǎn)品。
電容器去耦作用了解多少
一是集成電路的蓄能電容，
二是對(duì)器件的高頻噪聲進(jìn)行旁路去除。
在數(shù)字電路中，去耦電容通常為0.1μf。這種電容的分布電感值通常為5nh。該去耦電容具有5nh的分散電感，其共振頻率約為7mhz，即對(duì)低于10mhz的噪聲具有較好的去耦效果，但對(duì)大于40mhz的噪聲幾乎不起作用。電容值為1μf,10μf，共振頻率大于20mhz，對(duì)高頻噪聲有較好的去除效果。大約每10片集成電路需要增加一個(gè)充放電電容，或者一個(gè)儲(chǔ)能電容，10μf左右可選。不用電解電容，電解電容是由兩層薄膜卷起，這種卷起結(jié)構(gòu)在高頻表現(xiàn)為電感。請(qǐng)用鉭或聚-電容。對(duì)電容的選擇并不嚴(yán)格，可以用c=1/f表示，即10mhz為0.1μf,100mhz為0.01μf。
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