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☆臨界冷卻速度——獲得馬氏體的小冷卻速度!顅k是cct曲線的臨界冷卻速度;☆vk’是ttt曲線的臨界冷卻速度!顅k’ ≈1.5 vk☆凡是使c曲線右移的因素都會(huì)減小臨界冷卻速度。
硅的豐度,引起早期化學(xué)家的興趣。矽(硅)在地球表面的含量僅次于氧,占有將近28%.但是矽(硅)元素并非早被發(fā)現(xiàn)的元素,那是因?yàn)閺奈ü瑁┑难趸镏幸獙⑽原出來是一件非常困難的事。硅約占地殼總重量的25.7%,僅次于氧。在自然界中,硅通常以含氧化合物形式存在
硅原子的核外電子層有2個(gè)電子,圍擋彩鋼板廠,第二層有8個(gè)電子,達(dá)到穩(wěn)定態(tài)。外層有4個(gè)電子即為價(jià)電子,它對(duì)硅原子的導(dǎo)電性等方面起著-作用。正因?yàn)楣柙佑腥绱私Y(jié)構(gòu),所以有其一些特殊的性質(zhì):外層的4個(gè)價(jià)電子讓硅原子處于亞穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
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