48v明緯開(kāi)關(guān)電源價(jià)格-明緯開(kāi)關(guān)電源價(jià)格-北京中自恒立

11個(gè)提高開(kāi)關(guān)電源效率的小技巧

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1、在開(kāi)關(guān)電源次級(jí)輸出端的肖特基上并一個(gè)小功率快速二極管來(lái)代替rc吸收，效率一般可以提高1~2個(gè)點(diǎn)。

2、在體積和面積的允許下，盡量選用pq rm型的變壓器，在安規(guī)允許的情況下，變壓器不加擋墻效率可以得到提升。

3、輸入和輸出的電解容量值。

ac輸入整流電解容量低時(shí)效率會(huì)低0.2~1個(gè)點(diǎn)，何為低？用示波器看ac輸入整流后紋波，小于10w功率，紋波10~30v為佳，大于10w紋波在5~20v為佳。

4、主電流回路pcb盡量短。

5、優(yōu)化變壓器參數(shù)設(shè)計(jì)，減少振鈴帶來(lái)的渦流損耗。

6、合理選用開(kāi)關(guān)器件。

7、輸入emi部分優(yōu)化設(shè)計(jì)

8、選擇效率較高的拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)

9、選擇好的電解電容

10、啟動(dòng)部分功耗設(shè)計(jì)

11、芯片輔助供電優(yōu)化

開(kāi)關(guān)電源的電子器件

開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用的電力電子器件主要為二極管、igbt和mosfet、變壓器。scr在開(kāi)關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動(dòng)電路中有少量應(yīng)用，gtr驅(qū)動(dòng)困難，開(kāi)關(guān)頻率低，逐漸被igbt和mosfet。開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展方向是高頻、高-、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。開(kāi)關(guān)電源由于開(kāi)關(guān)電源輕、小、薄的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化，因此國(guó)外各大開(kāi)關(guān)電源制造商都致力于同步開(kāi)發(fā)新型高智能化的元器件，12v明緯開(kāi)關(guān)電源價(jià)格，-是-二次整流器件的損耗，并在功率鐵氧體材料上加大科技，以提高在高頻率和較大磁通密度（bs)下獲得高的磁性能，而電容器的小型化也是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。smt技術(shù)的應(yīng)用使得開(kāi)關(guān)電源取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，在電路板兩面布置元器件，以-開(kāi)關(guān)電源的輕、小、薄。開(kāi)關(guān)電源的高頻化就必然對(duì)傳統(tǒng)的pwm開(kāi)關(guān)技術(shù)，5v明緯開(kāi)關(guān)電源價(jià)格，實(shí)現(xiàn)zvs、zcs的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)已成為開(kāi)關(guān)電源的主流技術(shù)，可調(diào)開(kāi)關(guān)電源，并大幅提高了開(kāi)關(guān)電源的工作效率。對(duì)于高-性指標(biāo)，美國(guó)的開(kāi)關(guān)電源生產(chǎn)商通過(guò)降低運(yùn)行電流，降低結(jié)溫等措施以減少器件的應(yīng)力，使得產(chǎn)品的-性-提高。

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