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隱裂、熱斑、pid效應,是影響晶硅光伏組件性能的三個重要因素。
4. 形成“隱裂”的原因
外力:電池片在焊接、層壓、裝框或搬運、安裝、施工等過程中會受外力,當參數(shù)設置不當、設備故障或操作不當時會造成隱裂。
高溫:電池片在低溫下沒有經過預熱,然后在短時間內突然受到高溫后出現(xiàn)膨脹會造成隱裂現(xiàn)象,如焊接溫度過高、層壓溫度等參數(shù)設置不合理。
原材料:原材料的缺陷也是導致隱裂的主要因素之一。
低溫多晶硅的工作原理是什么?
低溫多晶硅制程是利用準分子雷射作為熱源,雷射光經過投射系統(tǒng)-,會產生能量均勻分布的雷射光束,投射于非晶矽結構的玻璃基板上,當非晶矽結構玻璃基板吸收準分子雷射的能量后,會轉變成為多晶硅結構,因整個處理過程都是在600℃以下完成,所以一般玻璃基板皆可適用。
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1、根據(jù)合同要求,驗收單晶硅電池片的功率及等級,例如125的-,就只要a1的,功率為2.57~2.7,再此時得問清楚電池片的功率是正公差還是負公差,選用正公差的。
2、單晶硅電池片的顏色:單晶為天藍或藍,與表面成35°角日常光照情況下觀察表面顏色,目視顏色均勻,無明顯色差、水痕、手印。
3、柵線圖形清晰、完整、無斷線。(b片可有1~2處斷線,但不可在同一條柵線上)
4、正面柵格線整潔、無漏漿;
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