一種半導(dǎo)體氧化設(shè)備,半導(dǎo)體清洗設(shè)備企業(yè),其配有:由室壁界定的可密封氧化室;設(shè)置于氧化室內(nèi),并用來支撐半導(dǎo)體樣品的基座;用于向所述氧化室供應(yīng)對(duì)所述
半導(dǎo)體樣品的特定部分進(jìn)行氧化的水蒸汽的供應(yīng)部分;監(jiān)測窗,其設(shè)置于所述氧化室的室壁之一內(nèi),并且設(shè)置于能夠面對(duì)支撐于所述基座上的所述半導(dǎo)體樣品的位置處;監(jiān)測部分,半導(dǎo)體設(shè)備,其設(shè)置于所述氧化室之外,并且能夠經(jīng)由所述監(jiān)測窗面對(duì)支撐于所述基座上的半導(dǎo)體樣品;以及調(diào)整所述基座和所述監(jiān)測部分之間的距離的調(diào)整部分。
半導(dǎo)體清洗設(shè)備公司提供濕法設(shè)備,北京半導(dǎo)體清洗設(shè)備,包含濕法槽式清洗設(shè)備及濕法單片式清洗設(shè)備,主要應(yīng)用于集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)、平板顯示等領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展,工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入 28 納米、14 納米等更-等級(jí),隨著工藝流程的延長且越趨復(fù)雜,每個(gè)晶片在整個(gè)制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟,晶圓清洗變得復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性;清洗設(shè)備及工藝也必須推陳出新,使用新的物理和化學(xué)原理,半導(dǎo)體配套潔凈清洗設(shè)備,在滿足使用者的工藝需求條件下,-降低晶圓清洗成本和環(huán)境保護(hù)。
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