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低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
晶硅太陽電池的兩個(gè)發(fā)展方向分別是降低成本和提升效率。光伏行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈,繼續(xù)降低成本十分困難,但提升效率仍有較大空間。復(fù)合損失是影響電池效率的關(guān)鍵因素。對(duì)于鋁背場(chǎng)(al-bsf)傳統(tǒng)電池結(jié)構(gòu)和主流的perc電池來說,電池背面金屬/半導(dǎo)體界面缺陷密度較高,界面復(fù)合是造-率損失的重要原因。為了降低界面復(fù)合損失,氧化鉿真空鍍膜加工廠商,接觸面積需要進(jìn)一步減少。然而,接觸面積占總電池面積的比例有一個(gè)下限,否則會(huì)造成接觸電阻過大,導(dǎo)致填充因子(ff)降低,電池轉(zhuǎn)換效率下降。另一個(gè)方式則是利用結(jié)對(duì)載流子的選擇通過特性(有效提高一種載流子的輸運(yùn),同時(shí)阻礙另一種載流子的通過),可大幅減少金屬/半導(dǎo)體界面的復(fù)合。
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熱氧化氧化過程主要分兩個(gè)步驟:步驟一:氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面,步驟二:氧氣或者水蒸氣等擴(kuò)散到硅表面,步驟三:氧氣或者水蒸氣等與硅反應(yīng)生成氧化硅。
熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧氣,硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅,氧化速率比較慢,氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣,兩者反應(yīng)生長(zhǎng)水蒸氣,水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長(zhǎng)氧化硅,濕法氧化,速率比較快,可以生長(zhǎng)比較厚的薄膜。
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pecvd集成了真空、化學(xué)、物理、機(jī)械、電氣、高頻等各方面的技術(shù),是一個(gè)較為復(fù)雜的系統(tǒng)。在設(shè)備研究方面,氧化鋅真空鍍膜加工廠商,主要解決低溫穩(wěn)定性、粉塵污染、氣路氣密性、高頻輝光放電、全自動(dòng)計(jì)算機(jī)控制等技術(shù)問題;在工藝研究方面,主要解決膜厚均勻性、工藝重復(fù)性、光電轉(zhuǎn)換效率等技術(shù)問題。在使用本設(shè)備制作薄膜時(shí)要注意3個(gè)方面的問題,使用前的調(diào)試、制作薄膜的程序和使用完后的歸位工作。當(dāng)對(duì)pecvd通上電時(shí),本機(jī)有黃、綠、紅三色燈泡指示,然后按下“上電開關(guān)”,待兩分鐘后按爐體“加熱”開關(guān)即可,貴州真空鍍膜加工廠商,記下各溫區(qū)的升溫電流的大小(用鉗形表測(cè)量),并記下升溫時(shí)間、到達(dá)設(shè)定溫度時(shí)間。當(dāng)各溫區(qū)到達(dá)預(yù)計(jì)溫度時(shí),對(duì)兩個(gè)溫控儀表進(jìn)行一次自整定,然后對(duì)中間一個(gè)儀表再整定。待數(shù)分鐘后若3個(gè)溫區(qū)儀表顯示非常平穩(wěn)時(shí),認(rèn)定為pid各個(gè)參數(shù)合適,若發(fā)現(xiàn)某個(gè)儀表不穩(wěn)就再進(jìn)行一次自整定。
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