微弧氧化 鎂合金加工-日照微弧氧化電源-鎂合金微弧氧化

用正交試驗法，對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標，以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設計，并開展了四因素三水平的正交試驗。使用掃描電鏡對正交試驗后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進行了觀察；利用image j軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進行測量。

結果表明：影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結果為：正向電壓550v、電流密度8 a/dm^2、正占空比20%、頻率400hz。