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諧波系列的電磁干擾幅度受q1和q2的通斷影響。在測量漏源電壓vds的上升時間tr和下降時間tf,或流經(jīng)q1和q2的電流上升率di/dt 時,可以很明顯看到這一點。這也表示,我們可以很簡單地通過減緩q1或q2的通斷速度來降低電磁干擾水平。事實正是如此,延長開關(guān)時間的確對頻率高于 f=1/πtr的諧波有很大影響。不過,此時必須在增加散熱和降低損耗間進(jìn)行折中。盡管如此,對這些參數(shù)加以控制仍是一個好方法,它有助于在電磁干擾和熱性能間取得平衡。具體可以通過增加一個小阻值電阻(通常小于5ω)實現(xiàn),該電阻與q1和q2的柵極串聯(lián)即可控制tr和tf,你也可以給柵極電阻串聯(lián)一個 “關(guān)斷二極管”來獨立控制過渡時間tr或tf(見圖3)。這其實是一個迭代過程,甚至連經(jīng)驗豐富的電源設(shè)計人員都使用這種方法。我們的終目標(biāo)是通過放慢晶體管的通斷速度,使電磁干擾降低至可接受的水平,同時-其溫度足夠低以-穩(wěn)定性。
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電源模塊輸出電壓過低,可能會導(dǎo)致整體系統(tǒng)不能正常工作,如微控制器系統(tǒng)中,負(fù)載突然增大,會拉低微控制器供電電壓,容易造成復(fù)位。并且電源長時間低電壓工作,電路的壽命會出現(xiàn)-的折損。
輸出電壓過低的原因:
(1)輸入電壓較低或功率不足
(2)輸出線路過長或過細(xì),造成線損過大
(3)輸入端的防反接二極管壓降過大
(4)輸入濾波電感過大
解決方法:可以通過調(diào)整供電或者更換相應(yīng)的-電路來-。如:調(diào)高電壓或換用功率輸入電源,調(diào)整布線,增大導(dǎo)線截面積或縮短導(dǎo)線長度,減小內(nèi)阻,換用導(dǎo)通壓降小的二極管,減小濾波電感值或降低電感的內(nèi)阻。
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絕緣柵雙極性晶體管(insulated gate bipolar tansistor,igbt)是一種復(fù)合開關(guān)器件,關(guān)斷時的電流拖 尾會導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗,如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零,則可以顯著地降低開關(guān)損耗,因此igbt宜采用零電流(zcs)關(guān)斷方式。igbt在 零電壓條件下關(guān)斷,同樣也能減小關(guān)斷損耗,但是mosfet在零電流條件下開通時,并不能減小容性開通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器(resonantconverter ,rc)、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器(qunsi-tesonant converter,qrc)、多諧振轉(zhuǎn)換器(multi-resonantconverter,非標(biāo)訂制模塊電源,mrc)、零電壓開關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器(zvs pwm converter)、零電流開關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器(zcs pwm converter)、零電壓轉(zhuǎn)換(zero-voltage-transition,zvt)pwm轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換(zero- voltage-transition,zvt)pwm轉(zhuǎn)換器等,均屬于軟開關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開關(guān)器件和零開關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展,促使了高頻開關(guān)電源的發(fā)展。
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