壓力傳感器-天津聯(lián)科思創(chuàng)科技-壓力傳感器供貨商

高溫微型壓力傳感器基本組成及制作工藝硅電容式壓力傳感器的敏感元件是半導(dǎo)體薄膜，它可以由單晶硅、多晶硅等利用半導(dǎo)體工藝制作而成。典型的電容式傳感器由上下電極、絕緣體和襯底構(gòu)成。當(dāng)薄膜受壓力作用時(shí)，薄膜會(huì)發(fā)生一定的變形，因此，上下電極之間的距離發(fā)生一定的變化，從而使電容發(fā)生變化。但電容式壓力傳感器的電容與上下電極之間的距離的關(guān)系是非線-，因此，要用具有補(bǔ)償功能的測(cè)量電路對(duì)輸出電容進(jìn)行非線性補(bǔ)償。由于高溫壓力傳感器工作在高溫環(huán)境下，補(bǔ)償電路會(huì)受到環(huán)境溫度的影響，從而產(chǎn)生較大的誤差�；�于模型識(shí)別的高溫壓力傳感器，壓力傳感器公司，正是為了避免補(bǔ)償電路在高溫環(huán)境下工作產(chǎn)生較大誤差而設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)方案是把傳感器件與放大電路分離，通過(guò)模型識(shí)別來(lái)得到所測(cè)環(huán)境的壓力。高溫工作區(qū)溫度可達(dá)350℃。傳感器件由鉑電阻和電容式壓力傳感器構(gòu)成。高溫壓力傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構(gòu)成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是利用各向-腐蝕技術(shù)，在一片硅片上從正反面腐蝕形成的。上下電極的間隙由硅片的腐蝕-決定。硅膜片和襯底利用鍵合技術(shù)鍵合在一起，形成具有一定穩(wěn)定性的硅膜片電容壓力傳感器[2]。由于鉑電阻耐高溫，且對(duì)溫度敏感，選用鉑電阻，既可以當(dāng)普通電阻使用，又可以作為溫度傳感器用以探測(cè)被測(cè)環(huán)境的溫度。金屬鉑電阻和硅膜片的參數(shù)為:0℃時(shí)鉑電阻值為1000ω;電阻率為1.0526316×10-5ω?cm;密度為21440kg/m3;比熱為132.51j/(kg?k)、熔斷溫度為1769℃，故鉑電阻可加工為寬度為0.02mm;厚度為0.2μm;總長(zhǎng)度為3800μm，制作成鋸齒狀，可在幅值為10v的階躍信號(hào)下正常工作。電容式壓力傳感器的上下電極的間隙為3μm、圓形平板電容上下電極的半徑為73μm、其電容值為50pf。

硅壓阻式壓力傳感器工作原理：硅壓阻式壓力傳感器是采用微處理器的多功能-數(shù)字壓力變送器。-的數(shù)字輸出、-的數(shù)字電路和更新的內(nèi)部補(bǔ)償軟件系統(tǒng)地結(jié)合在一起，以小型、低功耗封裝提供了精度達(dá)0.1mbar分辨率。軟件校準(zhǔn)，帶溫度補(bǔ)償，壓力和溫度測(cè)量（35ms/meas.），低功耗（2.2-3.6v/<4/0.1ua），無(wú)需-元件，小型smd陶瓷結(jié)構(gòu)，壓力傳感器，防腐蝕封膠保護(hù)。其次壓力傳感器是貼片混合裝置，包括一個(gè)壓阻式壓力傳感器和一個(gè)adc接口芯片。它提供了一個(gè)壓力和溫度的依賴(lài)電壓的16位數(shù)字信號(hào)。此外該模塊包含一個(gè)高度的傳感器的軟件校正6可讀系數(shù)，是一種低功耗，低電壓自動(dòng)斷電裝置向下（開(kāi)/關(guān)）開(kāi)關(guān)。一個(gè)3線接口用于與微控制器的所有通信。相較于以前的版本中，所有引腳靜電放電敏感度水平已提高至4kv。不僅如此還可滿(mǎn)足的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)，從-40℃～125℃的溫度范圍內(nèi)0.1mbar的精度要求。同時(shí)，它增加了一系列方便使用的功能：壓力和高度的工程單位的轉(zhuǎn)化，數(shù)字高度設(shè)置顯示（dasi），校正的高度模式，高低位報(bào)警設(shè)定，零點(diǎn)/去皮功能，壓力傳感器供貨商，和/大點(diǎn)-。昆山丹瑞傳感測(cè)控在提供-潛水設(shè)備傳感器以外，壓力傳感器安裝，還提供行業(yè)內(nèi)各種壓力傳感器，滿(mǎn)足各行業(yè)的使用需求，在壓力傳感器的自主研發(fā)實(shí)力上已經(jīng)做到-進(jìn)口壓力傳感器的水準(zhǔn)，所以在-和交付周期上完全優(yōu)于進(jìn)口產(chǎn)品。