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原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方,進口化學氣相沉積設(shè)備,吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊,結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子,化學反應(yīng)生成固態(tài)膜。沉積時,基體可加熱,亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運,進口化學氣相沉積設(shè)備廠家,氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有:放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點是可-降低反應(yīng)溫度,已用于多種薄膜材料的制備。
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化學氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝,它大致包含三步:
(1)形成揮發(fā)性物質(zhì) ;
(2)把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ;
(3)在固體上產(chǎn)生化學反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) ;镜幕瘜W氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學合成反應(yīng)以及化學傳輸反應(yīng)等集中。
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