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-的解決溥膜電容頻率高，總線周期-快的情況，cl11電容價(jià)格，蘇州薄膜電容廠家為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：
減小信號(hào)傳輸中的畸變：
微控制器主要采用高速cmos技術(shù)制造。信號(hào)輸入端靜態(tài)輸入電流在1ma左右，輸入電容10pf左右，輸入阻抗相當(dāng)高，高速cmos電路的輸出端都有相當(dāng)?shù)膸лd能力，即相當(dāng)大的輸出值，將一個(gè)門的輸出端通過一段很長線引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端，反射問題就很-，它會(huì)引起信號(hào)畸變，增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)tpd＞tr時(shí)，就成了一個(gè)傳輸線問題，必須考慮信號(hào)反射，阻抗匹配等問題。
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選用頻率低的微控制器：
選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比正弦波多得多。雖然方波的高頻成份的波的幅度，比基波小，麥拉電容，但頻率越高越容易發(fā)射出成為噪聲源，cl11電容報(bào)價(jià)，微控制器產(chǎn)生的有影響的高頻噪聲大約是時(shí)鐘頻率的3倍。
薄膜電容廠家概述薄膜電容
從電極形式-類，薄膜電容器還可以根據(jù)電極形成方式的不同分為金屬箔薄膜電容器和金屬化電容器，南京電容，而金屬化電容器由于電極厚度基本上可以忽略，因此金屬化電極的薄膜電容器可以得到更小的體積。
薄膜電容器z新的卷繞方式是將電極、介質(zhì)膜卷繞在一個(gè)直徑60cm的“圓盤”上，再將卷繞的“電容器”分割成所需要的成品電容器，形成疊片式薄膜電容器。
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