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一般運用于中、低-電源電路中。常見的型號規(guī)格有cl11、cl21等系列產(chǎn)品。聚電容器(cb)構(gòu)造：有箔式和金屬化式二種種類。主要用途：一般運用于中、高頻電路中。常見的型號規(guī)格有cb10、cb11(非密封箔式)、cb14~16(精密型)、cb24、cb25(非密封型金屬化)、cb80(髙壓型)、cb40(密封型金屬化)等系列產(chǎn)品。聚電容器(cbb)構(gòu)造：用無旋光性聚塑料薄膜為物質(zhì)做成的一種負溫度系數(shù)無旋光性電容器。有非密封式(常見有色板塊樹脂漆封裝)和密封式(用金屬材料或塑膠機殼封裝)二種種類。主要用途：一般運用于中、低-電子線路或做為電機的啟動電容。常見的箔式聚電容器：cbb10、cbb11、cbb60、cbb61等;金屬化式聚電容器：cbb20、cbb21、cbb401等系列產(chǎn)品。獨石電容器構(gòu)造：獨石電容器是用鈦酸鋇為-的結(jié)構(gòu)陶瓷煅燒做成的多堆疊塊狀袖珍型電容器。



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這也是為什么許多線路板在高頻率器件vcc引腳處置放小電容的緣故之一（在vcc腳位上一般串聯(lián)一個去藕電容，那樣溝通交流份量就從這一電容接地裝置。）配備標準以下：開關(guān)電源鍵入端跨接線一個10～100uf的電解電容器，假如印制電路板的部位容許，選用100uf之上的電解電容器的抗干擾性實際效果會-。為每一個集成電路芯片芯片配備一個0.01uf的瓷器電容器。如碰到印制電路板室內(nèi)空間小而放不進時，可每4～10個芯片配備一個1～10uf鉭電解電容器，這類器件的高頻率特性阻抗尤其小，在500khz～20mhz范疇內(nèi)特性阻抗低于1ω，并且泄露電流不大（0.5ua下列）。針對噪音工作能力弱、關(guān)閉時電流量轉(zhuǎn)變大的器件和rom、ram等儲存型器件，應(yīng)在芯片的電源插頭（vcc）和接地線（gnd）間立即連接去耦電容。去耦電容的導(dǎo)線不可以太長，尤其是高頻率旁通電容不可以帶導(dǎo)線。



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