烏海電站拆卸光伏板發(fā)電板價(jià)格-振鑫焱光伏科技

3、刻蝕

在擴(kuò)散工序，采用背靠背的單面擴(kuò)散方式，電站拆卸光伏板發(fā)電板價(jià)格，硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會(huì)擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽(yáng)光照射，p-n結(jié)的正面收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到p-n結(jié)的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻�？涛g工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了p-n結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。

濕法刻蝕工藝流程：上片***蝕刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***堿槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反應(yīng)氧化生成sio2，hf去除sio2�？涛g堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為koh；h2so4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動(dòng)起來，并不參與反應(yīng)。

干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí)，一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會(huì)變得相對(duì)較強(qiáng)，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)刻蝕；另一方面，可利用電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使等離子體具有一定能量，當(dāng)轟擊硅片的表面時(shí)，硅片材料的原子擊出，可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。

4、pecvd

等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽(yáng)光在硅表面的反射損失率-35%左右。減反射膜可以提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對(duì)電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。h能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)，從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。

在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層sixny薄膜。